pSRAM與SRAM相比,PSRAM采用的是1T+1C的技術,所以在體積上更小,同時,PSRAM的I/O接口與SRAM相同.PSRAM就是偽SRAM，內(nèi)部的內(nèi)存顆粒跟SDRAM的顆粒相似，但外部的接口跟SDRAM不同，不需要SDRAM那樣復雜的控制器和刷新機制，PSRAM的接口跟SRAM的接口是一樣的。PSRAM 內(nèi)部自帶刷新機制。PSRAM容量有4Mb,8Mb,16Mb,32Mb，64Mb, 128Mb等等。下面EMI代理英尚微電子介紹一款型號為EMI108NA16LM的國產(chǎn)8mb psram。
 
EMI108NA16LM該器件是使用DRAM型存儲單元的完整COMS SRAM，但是該器件具有無刷新操作和極低的功耗技術。此外該接口與低功耗異步型SRAM兼容。其工藝技術采用全CMOS,位寬512K x 16，電源電壓范圍為2.7?3.3V，三態(tài)輸出和TTL兼容，包裝類型采用48-FBGA-6.00x8.00毫米，分離的I/O電源（VCCQ）和核心電源（VCC），取消選擇時自動關機。

Density

Product Family

Operating Temperature

Operating Voltage (V)

Speed

Power Dissipation

Min.

Typ.

Max.

ICC1

ICC2

ISB1(CMOS Standby Current)

f = 1MHz

f = fmax

Typ.

Max.

Typ.

Max.

Typ.

Max.

8Mb

EMI108NA16LM-70I

Industrial (-40~85℃)

2.7

3

3.3

70ns

1.5mA

3mA

15mA

25mA

30uA

70uA

 
關于EMI
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本文關鍵詞：psram

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