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國產(chǎn)并口PSRAM存儲芯片EMI164NA16LM

2021-03-11 10:05:11

EMI164NA16LM該設(shè)備是一個集成的存儲器設(shè)備,其中包含64Mbit靜態(tài)隨機存取存儲器,使用自刷新DRAM陣列由16位組織為4M。模具具有單獨的電源軌,VCCQ和VSSQ,用于從設(shè)備核心的單獨電源運行。
 
特征
•電源
-VCC和VCCQ電壓:3.0V(2.7V?3.6V)
•配置:64MB(4MBX16)
•讀取速度
-異步讀訪問:70ns
•低功耗
-異步操作:<30mA
-待機電流:<350UA(最大值)
•低功耗功能
-片上溫度補償自刷新(TCSR)
•工作溫度范圍:-40°C?+85°C(工業(yè))
•包裝:48 TFBGA(6.0x7.0mm)
 
引腳封裝

 

48 TFBGA(6.0x7.0mm)
 
 
EMI164NA16LM該設(shè)備是67,108,864位pSRAM,使用DRAM型存儲器單元,但該器件具有無刷新操作和極端低功耗技術(shù)。接口與低功耗異步類型SRAM兼容。該設(shè)備組織為4,194,304字x16位。

 
圖2.功能框圖
 
功能描述
64MB設(shè)備包含67,108,864位DRAM核心,組織為16位的4,194,304個地址。該設(shè)備包括行業(yè)標準,在其他LOW Pexer SRAM產(chǎn)品上找到的異步內(nèi)存接口

 
表1功能描述
 
1.當UB#和LB#處于選擇模式(低)時,DQ0?DQ15受到如圖所示的影響。
當僅LB#處于選擇模式時,DQ0?DQ7受到如圖所示的影響。只有UB#處于選擇模式時,DQ8?DQ15會受到如圖所示的影響。
2.當設(shè)備處于待機模式時,控制輸入(We#,OE#),地址輸入和數(shù)據(jù)輸入/輸出在內(nèi)部與任何外部影響分離。
3.當我們#處于活動狀態(tài)時,OE#INPUT在內(nèi)部禁用,對I/O沒有影響。
4.只要更改地址,設(shè)備將在此模式下消耗有效電源。
5.VIN=VCCQ或0V,所有器件引腳都是靜態(tài)(未切換的),以實現(xiàn)備用電流。
 
關(guān)于EMI
安徽偉凌創(chuàng)芯微電子有限責任公司(簡稱EMI)位于合肥市高新區(qū),是一家以市場為導(dǎo)向的無晶圓半導(dǎo)體公司。專注于利基市場專用芯片/小型藍牙SOC芯片/存儲芯片SRAM/PSRAM及整體解決方案,第一代產(chǎn)品涉及千兆/萬兆USB網(wǎng)口芯片以及音視頻接口芯片。提供創(chuàng)新、高品質(zhì)、高性價比、 供貨持續(xù)穩(wěn)定的芯片,并通過提供軟硬件Turnkey solution,降低客戶研發(fā)難度,縮短客戶量產(chǎn)時程。產(chǎn)品領(lǐng)域涵蓋智能感知、網(wǎng)絡(luò)可視化、信息化、信息安全、大數(shù)據(jù)分析、智能語音、應(yīng)用展現(xiàn)、特種通信和智能建筑等。EMI代理英尚微電子支持提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。


本文關(guān)鍵詞: NOR Flash


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深圳市英尚微電子有限公司是一家專業(yè)的靜態(tài)隨機記憶體產(chǎn)品及方案提供商,十年來專業(yè)致力代理分銷存儲芯片IC, SRAM、MRAM、pSRAM、 FLASH芯片、SDRAM(DDR1/DDR2/DDR3)等,為客人提供性價比更高的產(chǎn)品及方案。
英尚微電子中國區(qū)指定的授權(quán)代理:VTI、NETSOL、JSC濟州半導(dǎo)體(EMLSI)、Everspin 、IPSILOG、LYONTEK、ISSI、CYPRESS、ISOCOME、PARAGON、SINOCHIP、UNIIC; 著名半導(dǎo)體品牌的專業(yè)分銷商  如:RAMTROM、ETRON、FUJITSU、LYONTEK、WILLSEMI。
 

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