MRAM走到轉(zhuǎn)折點(diǎn)，存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)變革即將到來(lái)？
2018-01-15 14:35:44
據(jù)報(bào)道，磁性隨機(jī)存取內(nèi)存(MRAM)將在本年達(dá)到一個(gè)新的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。Everspin宣布開始嘗試打造1Gb (128MB)的ST-MRAM芯片，同時(shí)他們已經(jīng)將這款壽命長(zhǎng)、非易失性的內(nèi)存芯片生產(chǎn)提上議程。 Everspin的ST-MRAM能夠提供長(zhǎng)期的記憶能力，與普通的NAND閃存技術(shù)相比，ST-MRAM能夠減少寫入放大倍數(shù)并擁有更好的耐用性。
ST-MRAM新芯片采用的是一個(gè)兼容DDR4的接口。Everspin表示，供應(yīng)商可以憑借持久的記憶技術(shù)設(shè)計(jì)企業(yè)級(jí)SSD或?qū)ΜF(xiàn)有的儲(chǔ)存產(chǎn)品進(jìn)行改善。
據(jù)了解，ST-MARAM的密度要比Everspin旗下現(xiàn)有的任何256MB(32MB)芯片大得多。Everspin表示，從Global Foundries的40nm工藝到foundry 28nm工藝的轉(zhuǎn)變是開發(fā)這種千兆級(jí)芯片的關(guān)鍵點(diǎn)，此外它還展示了公司垂直磁性隧道結(jié)(pMTJ)的可擴(kuò)展性。
首批配備Everspin全新千兆MRAM芯片的產(chǎn)品之一將來(lái)自Smart Modular公司。該公司計(jì)劃發(fā)布一款NVMe PCIe硬盤，它的重量和長(zhǎng)度都將減半，其將用于元數(shù)據(jù)緩存和儲(chǔ)存加速應(yīng)用。Smart Modular表示，該產(chǎn)品單元在4K隨機(jī)讀寫測(cè)試中能夠達(dá)到1500K IOPS。
早在20多年前，由于MRAM具有不易揮發(fā)的特性，被視為取代NAND閃存的潛在高性能產(chǎn)品。不過(guò)，從產(chǎn)品容量的角度來(lái)說(shuō)，該技術(shù)暫時(shí)還無(wú)法進(jìn)入市場(chǎng)參與競(jìng)爭(zhēng)。
MRAM與快閃記憶體不同，它是使用了磁性材料與常規(guī)硅電路相結(jié)合記錄方式，在性能上MRAM有與SRAM不分上下的高速讀寫能力，以及具備Flash不揮發(fā)性的特性，在Cell面積上也和DRAM比例相近，而重復(fù)讀寫次數(shù)和DRAM、SRAM相同，操作電壓也相似，可以說(shuō)是集各種記憶體優(yōu)點(diǎn)于一體的產(chǎn)品。它的主要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手是快閃記憶體，目前一些公司東芝、如三星、Intel正在不斷開發(fā)更快更高容量的閃存式存儲(chǔ)裝置。
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