明年DRAM Q1供貨仍吃緊
2017-12-19 15:51:18
今年DRAM市場成長迅速,南亞科技預(yù)期2017年第四季及2018年第一季供貨將持續(xù)吃緊,DRAM平均銷售單價走勢穩(wěn)健;展望2018,預(yù)期明年整體DRAM市場供需均衡且健康,市場將持續(xù)維持穩(wěn)健。
隨著人工智能、智能汽車、物聯(lián)網(wǎng)、高速運算等應(yīng)用,促進半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)更多元發(fā)展,DRAM成為電子產(chǎn)品的關(guān)鍵組件,帶動今年內(nèi)存市場強勁成長逾50%。
展望2018年,南亞科預(yù)期DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能,DRAM位年成長率在20%~25%,預(yù)估2018年需求將較2017年成長23%,預(yù)期2018年DRAM市場將持續(xù)維持穩(wěn)健的態(tài)勢。
2017年全球半導(dǎo)體市場預(yù)計大幅成長20%,規(guī)模達(dá)4,111億美元,內(nèi)存市場年成長更高達(dá)57%,規(guī)模達(dá)1,260億美元,2017年內(nèi)存市場營收占半導(dǎo)體市場31%。
內(nèi)存市場于2017年突破1200億美元規(guī)模,預(yù)估2017年DRAM市場成長率67%,產(chǎn)值685億美元,預(yù)估2017年NAND Flash市場成長率51%,產(chǎn)值535億美元,DRAM加NAND占內(nèi)存市場總產(chǎn)值97%。
就內(nèi)存產(chǎn)業(yè)資本支出來看,NAND資本支出持續(xù)大幅提升,以作為擴充3D NAND產(chǎn)能所需,相對而言,DRAM資本支出主要用于先進制程轉(zhuǎn)換及維持原有月產(chǎn)能;南亞科預(yù)估,2018年DRAM位年成長率20%~25%, 2018年下半起將有新增DRAM產(chǎn)能投入量產(chǎn),NAND位年成長率則達(dá)40%~45% ;預(yù)估2018年全球DRAM平均月產(chǎn)能將由2017年113.3萬片微幅提升至2018年121萬片,預(yù)期2018年DRAM市場供需均衡且健康。
本文關(guān)鍵詞:
NAND Flash
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