晶圓代工四強(qiáng)近況如何？
2017-09-20 14:28:31
在英特爾宣布正式進(jìn)入ARM芯片代工市場(chǎng)，并為展訊代工了14nm八核X86架構(gòu)的64位LTE芯片平臺(tái)SC9861G-IA后，另一IDM模式巨擘三星于日前宣布將建立一個(gè)獨(dú)立的代工或合同芯片制造業(yè)務(wù)部門，增強(qiáng)代工業(yè)務(wù)。全球排名前兩位的半導(dǎo)體廠商對(duì)晶圓代工市場(chǎng)展現(xiàn)出了巨大的興趣，那么格羅方德、臺(tái)積電、聯(lián)電及中芯國(guó)際等純晶圓代工市場(chǎng)上的四大巨頭又在做什么呢？
臺(tái)積電
在晶圓代工范疇，臺(tái)積電是名副其實(shí)的龍頭老大，也是英特爾和三星在代工市場(chǎng)上最強(qiáng)勁的對(duì)手。除了10nm制程工藝用于今年iPhone 8的A11芯片外，前段時(shí)間有報(bào)道稱，臺(tái)積電目前已經(jīng)在測(cè)試尖端7nm芯片產(chǎn)品，并且會(huì)在2018年量產(chǎn)，并將在一年后再投產(chǎn)EUV極紫外光刻技術(shù)加持的新版7nm。而臺(tái)積電5nm將會(huì)在2019年試產(chǎn)，主打移動(dòng)設(shè)備和高性能計(jì)算。
在臺(tái)積電技術(shù)論壇上，臺(tái)積電首次透露了研發(fā)多年的eRRAM（嵌入式電阻式內(nèi)存）和eMRAM（嵌入式磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存）將分別在明后年進(jìn)行風(fēng)險(xiǎn)性試產(chǎn)，主要采用22nm制程。
格羅方德
在三星和臺(tái)積電就10nm制程工藝拼個(gè)你死我活的時(shí)候，格羅方德卻毅然決定跳過10nm直攻7nm制程。雖然沒有對(duì)10nm“出手”，但格羅方德在去年推出了12nm FD-SOI工藝， 與16nm FinFET工藝對(duì)比，12nm制程能夠?qū)⒐慕档?0%，性能提升15%，掩膜成本較10nm降低40%。不過根據(jù)早前格羅方德透露的信息，全新的12nm FD-SOI工藝在2019年才能投入量產(chǎn)。
雖然制程工藝進(jìn)步的腳步趕不上臺(tái)積電，但近日一則關(guān)于全球首款5nm芯片的消息中，卻出現(xiàn)了格羅方德的身影。IBM日前宣布，與三星、格羅方德組成的聯(lián)盟已經(jīng)成功開發(fā)出業(yè)界第一個(gè)全新的硅納米片晶體管，為實(shí)現(xiàn)5nm工藝奠定了基礎(chǔ)。
此外，格羅方德與成都市合作成立的合資公司格芯已經(jīng)展開建設(shè)工作，預(yù)計(jì)將于2018年年初竣工。完工后，該晶圓廠將率先投入主流工藝的生產(chǎn)，進(jìn)而專注于22FDX的制造，預(yù)計(jì)將于2019年開始實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。
聯(lián)電
聯(lián)電雖然貴為臺(tái)灣晶圓代工雙雄，但在晶圓代工市場(chǎng)上遠(yuǎn)不如臺(tái)積電活躍。今年年初時(shí)，公司宣布了其自主研發(fā)的14nm FinFET工藝，已成功進(jìn)入客戶芯片量產(chǎn)階段，并且良率已達(dá)先進(jìn)制程的業(yè)界競(jìng)爭(zhēng)水準(zhǔn)。在成功量產(chǎn)14nm后，聯(lián)電也啟動(dòng)了廈門子公司聯(lián)芯的28nm制程量產(chǎn)計(jì)劃，目標(biāo)為大陸快速成長(zhǎng)的中低端手機(jī)芯片市場(chǎng)。
中芯國(guó)際
中芯國(guó)際作為大陸晶圓代工一哥，已經(jīng)開始量產(chǎn)28nm PolySiON工藝，而對(duì)于更高級(jí)并將扮演更重要角色的28nm HKMG，中芯國(guó)際曾透露，對(duì)于HKMG平臺(tái)，今年將積極導(dǎo)入設(shè)備與試產(chǎn)，最快第三季準(zhǔn)備好產(chǎn)能，預(yù)期今年“會(huì)持續(xù)成長(zhǎng)，但貢獻(xiàn)度有限”。
新任CEO趙海軍也表示過，中芯將陸續(xù)投入28nm新平臺(tái)與14nm研發(fā)的推進(jìn)，預(yù)計(jì)2019年14nm投入試產(chǎn)。
另外，中芯國(guó)際也開始啟動(dòng)了7nm制程工藝的研發(fā)，并與北方華創(chuàng)、中微建立了長(zhǎng)期合作關(guān)系。
本文關(guān)鍵詞：
存儲(chǔ)芯片
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