FeRAM鐵電存儲器是通過利用鐵電晶體材料電壓與電流關系具有特征滯后回路的特點來實現(xiàn)信息存儲。將ROM的非易失性數(shù)據(jù)存儲特性和RAM的無限次讀寫、高速讀寫以及低功耗等優(yōu)勢結(jié)合在一起。FRAM是一種寫入速度快的非易失性存儲器。與傳統(tǒng)的非易失性存儲器（如EEPROM、閃存）相比，F(xiàn)RAM不需要用于數(shù)據(jù)保存的備用電池，具有更高的讀/寫耐久性、更快的寫入速度和更低的功耗。
 
    FeRAM技術(shù)特點：
 
    非易失性：FeRAM最顯著的特點是其在斷電后數(shù)據(jù)不會丟失，是非易失性存儲器；
    高速讀寫：FeRAM的讀寫速度相對較快，存取時間通常在50ns左右，循環(huán)周期約為75ns，這使得它在需要快速數(shù)據(jù)訪問的場合具有優(yōu)勢；
    壽命長：FeRAM具有較高的讀寫耐久性，通常能夠達到數(shù)十億次的讀寫循環(huán)，遠超過傳統(tǒng)的EEPROM和閃存；
?    低功耗：由于FeRAM在存儲數(shù)據(jù)時不需要額外的電源來維持數(shù)據(jù)狀態(tài)，因此功耗相對較低；
?    可靠性高：兼容CMOS工藝，工作溫度范圍寬，可靠性高。
 
    FeRAM存儲密度較低、容量有限，雖無法完全取代DRAM與NANDFlash，但在對容量要求不高、讀寫速度和頻率要求高、使用壽命要求長的場景中擁有發(fā)展?jié)摿?，適用于智能手表、智能卡、物聯(lián)網(wǎng)設備等消費電子領域，以及汽車和工業(yè)機器人領域。
 
 
本文關鍵詞：FeRAM,FRAM

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