富士通FRAM（鐵電RAM）是新一代非易失性存儲(chǔ)器，性能優(yōu)于 E²PROM 和閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器，功耗更低，速度更快和耐多次讀寫操作。FRAM是非易失性的，但在ram等其他方面運(yùn)行。這種突破性的存儲(chǔ)介質(zhì)用于各種應(yīng)用，包括智能卡、RFID、安全和許多其他需要高性能非易失性存儲(chǔ)器的應(yīng)用。富士通代理英尚微介紹富士通半導(dǎo)體128K串行接口FRAM MB85RS128B。
 
■描述
MB85RS128B是一款16,384字×8位配置的FRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）芯片，采用鐵電工藝和硅柵CMOS工藝技術(shù)形成非易失性存儲(chǔ)單元。MB85RS128B采用串行外設(shè)接口（SPI）。MB85RS128B能夠在不使用備用電池的情況下保留數(shù)據(jù)，這是SRAM所需要的。
 
MB85RS128B采用的存儲(chǔ)單元可進(jìn)行10¹²次讀寫操作，相比Flash存儲(chǔ)器和E²PROM支持的讀寫操作次數(shù)有顯著提升。MB85RS128B不需要像Flash存儲(chǔ)器或E²PROM那樣長(zhǎng)時(shí)間寫入數(shù)據(jù)，并且MB85RS128B不需要等待時(shí)間。
 
■特點(diǎn)
•位配置：16,384字×8位
•SPI對(duì)應(yīng)于SPI模式0(0,0)和模式3(1,1)
•工作頻率：除READ33MHz(Max)READ命令以外的所有命令25MHz(Max)
•高耐久性：10¹²次/字節(jié)
•數(shù)據(jù)保留：10年(+85℃)、95年(+55℃)、超過200年(+35℃)
•工作電源電壓：2.7V至3.6V
•低功耗：工作電源電流6mA(Typ@33MHz)待機(jī)電流9μA(Typ)
•工作環(huán)境溫度范圍：−40℃至+85℃
•封裝：8針?biāo)芰蟂OP(FPT-8P-M02)符合RoHS
 
■引腳分配
   
■串行外設(shè)接口(SPI)
富士通鐵電存儲(chǔ)器MB85RS128B作為SPI的從機(jī)工作。使用配備SPI端口的微控制器可以連接2個(gè)以上的設(shè)備。通過使用沒有配備SPI端口的微控制器，SI和SO可以通過總線連接使用。


本文關(guān)鍵詞： 串行接口FRAM  FRAM

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